文：Tony
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近年美國禁止中國輸入關鍵晶片及最先進的等晶片製作工具，被中國視為是歐美在科技上的圍堵。最近中國上海微電子設備（集團）股份有限公司 (SMEE)，公佈了一系列製造 7 納米及以下晶片關鍵能力的專利，或許可以突破歐美的科技圍堵。
▲圖片由 SMEE 官方網頁下載
中國國家智慧財產局於 9 月10 日披露了一項名為「極紫外線輻射發生裝置及光刻設備」的發明專利，內容涉及極紫外線輻射（EUV）發生裝置及光刻設備，申請者為上海微電子裝備（集團）股份有限公司。
上海微電子此次揭露的專利主要涉及 EUV 光源及光刻設備，其中重點的極紫外線輻射發生器（光源）主要包括腔體、靶材產生器、雷射產生器、收集鏡、電極板、氣控部件等關鍵部件。
據資料來源指，極紫外線輻射 EUV 微影技術，是一種先進的晶片製造技術，可在半導體晶圓上繪製極其精細的電路，從而生產出更小、更強大的晶片。這項技術使用極紫外光（EUV）作為光源，比傳統微影技術能達到更高的精準度。擁有 EUV 光刻技術專利意味著掌握了製造 7 納米及以下晶片的關鍵能力。
資料來源：dw
