文：Tony
Apple 新一代旗艦手機 iPhone 18 Pro 及 iPhone 18 Pro Max 正式出貨後，知名科技頻道《HOMOLAB》針對儲存效能進行壓力測試。結果顯示，售價昂貴的 iPhone 18 Pro Max 1TB 版本（以及 2TB 版本）疑因 Apple 為壓低成本，改為採用成本較低、儲存密度較高的 QLC 快閃記憶體（NAND Flash）。在長時間大容量檔案寫入的極端情況下，該機寫入速度出現「斷崖式」下降，最低甚至跌破 1.1MB/s，表現比傳統慢速 SD 卡更差。相比之下，售價較低的 512GB 版本則繼續採用性能更佳的 TLC 顆粒，效能表現更為穩定。
QLC NAND 與 TLC NAND 的差異 NAND Flash 的運作原理，是以每個儲存單元（Cell）所能容納的資料位元（Bit）來區分種類：
TLC NAND（Triple-Level Cell）： 每個儲存單元容納 3 個 Bit 的資料。由於電位變化較少，資料寫入與讀取的辨識相對迅速，原生寫入速度較快，寫入壽命（P/E 循環）也較高。雖然生產成本比 QLC 稍高，但性能與耐用度表現相當均衡。
QLC NAND（Quad-Level Cell）： 每個儲存單元提升至容納 4 個 Bit 的資料，儲存密度比 TLC 提高 33%。QLC 的主要優勢在於能大幅降低每單位容量的生產成本，適合製造大容量儲存裝置。然而，因單元內部需要精確控制多達 16 種不同的電位狀態，導致其原生寫入延遲較高、耐用度較低。一旦寫入資料量超出快取（Cache）緩衝的覆蓋範圍，速度就會出現顯著衰退。
快取耗盡後寫入崩潰：60% 空間佔用下極限速低至 1.1MB/s
根據測試資料，iPhone 18 Pro Max 1TB 版採用日商 Kioxia BiCS8Q 218 層堆疊 QLC 顆粒。在空機狀態下，手機會利用動態分配的 SLC 與 pTLC 雙層快取機制維持高速；初始 SLC 快取寫入速度可達 3,256MB/s（提供約 249.7GB 快取）。當 SLC 快取用罄後，會進入第二階段 pTLC 快取，平均速度降至約 578MB/s。然而，當兩層快取皆被耗盡、資料直接寫入 QLC 本體時，平均速度會驟降至 79.4MB/s，最低僅剩 25.6MB/s。
更嚴重的狀況發生在儲存空間佔用達 60%（約剩餘 398.5GB）時，由於動態快取空間被大幅壓縮，SLC 快取僅剩約 58GB。當快取用完後，QLC 直寫的平均速度僅剩 45MB/s，極限最低速更降至 1.142MB/s。與之相對，採用 TLC 顆粒的 iPhone 18 Pro 512GB 在日常常用的 4K 隨機混合負載（Q1T1）測試中，效能比 1TB QLC 版本高出達 38%。
日常影響評估：常規使用不受影響，高階錄影與備份需特別留意
雖然 1.1MB/s 的寫入速度極為緩慢，但這屬於極限壓測下的結果。對於日常瀏覽網頁、通訊軟體交流、執行遊戲或一般拍照等操作，大部分資料寫入均能被系統快取的容量涵蓋，一般使用者幾乎無法察覺差異。
不過，對於衝著 1TB / 2TB 高容量而購買 iPhone 18 Pro 系列專業創作者而言，若需要進行長時間高碼率 4K ProRes 影片拍攝、透過 Mac / PC 進行幾十 GB 大容量影片素材轉移，或是執行整機備份還原時，將很有可能遇到快取耗盡後寫入顯著變慢的情況，選購前宜先評估自身工作流程需求。
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