文：Tony
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| 概念圖片 |
Samsung 今年可說是禍不單行，繼 Galaxy Note 7 出現不少爆炸個案後，有一些型號如 Galaxy A9 (2016) 亦發生了同類型事件。近日更有海外傳聞指，Samsung 遺失了機密文件，當中透露了下一代旗艦 Galaxy S8 將會配置 10nm 程製的 SOC 集成器。
據消息指，Samsung Galaxy S8 採用的 10nm 集成器，是由 Exynos 8895 CPU 及 Mali-G71 GPU 組成，後者圖像運算效能，會比上代 Galaxy S7 配置的 Mal-T880 GPU 強大 2 倍，而且更會支援上代的 Vulkan 3D 圖像 API，以及全面對應 4K 屏幕及 VR (虛擬實景) 的體驗。
由於 Samsung Galaxy S8 採用了明年最強大的 10nm 集成器，令此機有望配置今年 3 月在加州曾經展示的 5.5 吋 4K 解像度 AMOLED 屏幕，屏幕達 806ppi 細緻度，將會是現今手機上最高細緻度的屏幕。配合全新的 Gear VR 虛擬實景裝置，能看到更細緻迫真的影像。
至於拍攝規格方面，有傳 Samsung Galaxy S8 亦會迎合現今手機拍攝規格的潮流，將會配備 1,200 萬像素雙鏡頭主相機，而前相機方面，則會大幅提升至 1,300 萬像素，並加入虹膜識別功能。
